三星制定更加激进技术线路图 S9或有巨大提升

运营商世界网 张皓程 /文

随着手机硬件军备竞赛逐渐升级，处理器芯片的争夺战还在延续，28nm到20nm再到14nm制程工艺，如今，这项参数还在被不断提升。虽然近期骁龙835采用的10nm制程工艺已经让业界感到震惊，但其背后的台积电以及三星的竞争更加激烈。根据媒体报道，三星与台积电的竞争如今已经提升至7nm制程工艺级别。

激进方案7nm芯片明年初量产 或配S9发布

根据媒体报道，如今台积电已经计划在今年尝试生产7nm芯片，紧接着，作为其直接竞争对手三星也公布了自家更加激进的技术路线图，三星半导体LSI负责人表示，三星7nm芯片计划在明年年初实现量产。

根据以往的规律，每年年初三星都会发布旗下开年旗舰Galaxy S系列新机，而三星半导体LSI负责人所述的2018年年初量产7nm芯片的时间点恰好与Galaxy S9发布的时间点重合，由此猜测，Galaxy S9或许在处理器芯片方面会有巨大的提升。

另外，根据消息显示，对于7nm芯片三星还将采用下一代EUV技术（极紫外光刻）制造，相比常用的193nm沉浸式光刻来讲，其能够进一步缩小晶体管之间的距离，在同样的面积下集成更多的晶体管数量以便提升性能。

进一步完善10nm工艺 14nm工艺或服务可穿戴设备芯片

除了有关三星7nm制程工艺的芯片消息之外，还有媒体报道，三星目前也在致力于完善目前的10nm工艺芯片，原因是目前骁龙835的产能还有待提升，另外则是三星自家Exynos系列芯片的产量也需要得到进一步保障。

值得一提的是，随着10nm制程工艺芯片的量产，去年的14nm芯片有望在今年下放到中端设备以及可穿戴设备。